技術(shù)編號：6852254
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種，特別是有關(guān)具有金屬-絕緣層-金屬電容器的金屬柵極及其制造方法。背景技術(shù) 一般來說，存儲單元包括一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS-FET)作為一開關(guān)元件，其和一電容器連接以作為數(shù)字數(shù)據(jù)存取元件，此元件一般稱為1T-RAM元件。一稱為金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器的結(jié)構(gòu)具有較佳的介面與較佳的特性，因此MIM電容器成為許多存儲器技術(shù)研究的主題。Leung在0-7803-65984/00，IEEE第32至36頁所發(fā)表的“The ide...
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