技術(shù)編號(hào)：6852091
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，尤其是具有改善的高頻性能的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)器件和形成該器件的方法。背景技術(shù) MOS器件，包括橫向擴(kuò)散的MOS器件(LDMOS)，應(yīng)用在許多領(lǐng)域，如無線電通訊系統(tǒng)中的功率放大器。關(guān)于LDMOS器件的直流(DC)性能，通常希望具有低接通電阻和高跨導(dǎo)。低壓(如，小于約10V的擊穿電壓)LDMOS器件的接通電阻主要取決于器件溝道區(qū)的電阻。例如，在低壓LDMOS器件中，溝道電阻占器件接通總電阻的大約80％。比較起來，高壓功率M...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。