技術(shù)編號：6851775
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明相關(guān)于半導(dǎo)體存儲器并且特別相關(guān)于一種沒有接面(junction)漏電的單晶體隨機(jī)存取存儲器(1T-RAM)。背景技術(shù) 半導(dǎo)體存儲器是根據(jù)提供的數(shù)據(jù)儲存類型以及數(shù)據(jù)存取機(jī)制類型來做分類的，而主要?dú)w類在下列兩個(gè)大項(xiàng)非揮發(fā)性存儲器以及可擦寫存儲器。非揮發(fā)性存儲器通常又稱為只讀存儲器。通常來說，只讀存儲器在電源供應(yīng)器電壓關(guān)閉時(shí)仍然可以將數(shù)據(jù)保存。而只讀存儲器相關(guān)于存取機(jī)制分為以下幾類(1)屏蔽程序(mask programmed)只讀存儲器。存儲器需要的內(nèi)容...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。