技術(shù)編號(hào)：6851370
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，并且特別涉及一種。背景技術(shù) 近來(lái)，對(duì)多功能半導(dǎo)體器件具有混合制成邏輯電路和存儲(chǔ)器的強(qiáng)烈需求。邏輯電路通常由CMOS電路構(gòu)成。許多CMOS電路制造工藝已經(jīng)建立起來(lái)。作為即使斷開(kāi)電源其內(nèi)容仍然可以保存的非易失性存儲(chǔ)器的鐵電存儲(chǔ)器的應(yīng)用并不廣泛。鐵電存儲(chǔ)器的許多制造工藝尚未建立起來(lái)。期望CMOS制造工藝不會(huì)與鐵電電容器制造工藝沖突。日本專(zhuān)利未審公開(kāi)No.HEI-10-261767公開(kāi)的制造工藝為在由元件隔離場(chǎng)氧化物膜限定的有...
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