技術(shù)編號(hào):6851257
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地是有關(guān)于改進(jìn)一p通道記憶體元件的程式化效率的方法,并且更具體地說(shuō),是有關(guān)于一方法,此方法是為含有次閘極的p通道非揮發(fā)性(non-volatile)記憶體元件,改進(jìn)其能帶至能帶穿隧引起的熱電子注入(band-to-band tunneling induced hot electron,BTBTHE)的效率。背景技術(shù) 用于非揮發(fā)性資訊儲(chǔ)存的記憶體元件已得到廣泛的應(yīng)用。這樣的記憶體元件的例子,包括只讀記憶體(read only memory,ROM)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。