技術(shù)編號(hào)：6851093
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有浮柵的半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器，尤其涉及一種其中在控制柵上提供浮柵的半導(dǎo)體非易失性存儲(chǔ)器。背景技術(shù) 其中在生長(zhǎng)在浮柵上的絕緣膜上提供控制柵的非易失性存儲(chǔ)器，存在在多晶硅浮柵上生長(zhǎng)的絕緣膜具有較大漏電流以及較小耐電壓的問題。作為解決該問題的浮柵非易失性存儲(chǔ)器，已經(jīng)公開了一種結(jié)構(gòu)，其中在經(jīng)由絕緣膜夾在源區(qū)域和漏區(qū)域中間的溝道形成半導(dǎo)體區(qū)域上提供浮柵；該浮柵延伸到生長(zhǎng)在單晶控制區(qū)域上的絕緣膜上；且該單晶控制區(qū)域用作控制柵。(參考JP57-49148...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。