技術(shù)編號：6850052
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，特別是涉及在MOSFET內(nèi)裝肖特基勢壘二極管的。背景技術(shù) 圖14中以n溝道型為例說明現(xiàn)有的MOSFET的結(jié)構(gòu)。MOSFET200由半導體襯底130、溝道層133、源極區(qū)域134、柵極氧化膜135、柵極電極136構(gòu)成。半導體襯底130是在n+型硅半導體襯底131上層積n-型外延層132等而構(gòu)成，n-型外延層132構(gòu)成漏極區(qū)域。溝道層133是在場部的半導體襯底表面以劑量1.0×1013～1.0×1014cm-2注入p+型離子而設置的雜質(zhì)擴散區(qū)域。源...
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