技術(shù)編號：6849644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，更具體地說，涉及具有其中半導體芯片被密封樹脂層覆蓋的結(jié)構(gòu)的半導體器件。背景技術(shù) 半導體器件如大規(guī)模集成電路(LSI)需要具有高的速度。為了滿足這個需求，近來正在試圖使用低電阻率材料如引線并降低層間絕緣膜的相對介電常數(shù)。更具體地說，引線的材料從Al變到Cu。同樣，對于層間絕緣膜，正在考慮使用所謂的“低k膜”，如摻氟SiO2膜或包含有機成分的SiO2膜，其具有比致密和純SiO2膜小的相對介電常數(shù)。注意，在本說明書中和權(quán)利要求書的范圍中使用...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。