技術(shù)編號(hào)：6849568
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及SOI(絕緣體上的硅)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù) 被稱為SOI器件的半導(dǎo)體裝置作為高速、低功耗的器件，最近越來越引人注目。在SOI層與硅襯底之間夾入埋入氧化膜的SOI結(jié)構(gòu)的SOI襯底中制造該SOI器件。特別是，使作為上層硅層的SOI層薄膜化(～約幾微米)了的SOI器件被稱為薄膜SOI器件而引人注目，預(yù)期可應(yīng)用于攜帶裝置用LSI等中。迄今為止，利用貫通SOI層的Si(硅)而到達(dá)埋入氧化膜而形成的元件隔離用氧化膜對(duì)SOI元件(SOI結(jié)構(gòu)的SOI層中形...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。