技術編號：6849402
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體記憶元件，且特別是有關于一種具有雙分離式非導電的電荷捕捉嵌入物的電荷捕捉記憶元件及其制造方法。背景技術 已知的氮化物只讀記憶體(NROM)是使用氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結構作為柵極絕緣體并當作電荷捕捉層。NROM元件的程式化是透過通道熱電子注入法將電子注入到ONO結構的氮化物層，而將氮化物層中的電子抹除，則是藉由價帶-價帶(BTBH)熱電洞注入法將電洞注入于儲存著電子的ONO結構的氮化物層中。雖然NROM只讀記憶體廣泛使用于半導...
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