技術(shù)編號(hào)：6849367
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子、磁電子材料與器件，具體涉及一種具有室溫鐵磁特征的Zn1-xCoxO即Co摻雜的ZnO，其中x為Co原子和Zn原子的歸一化原子個(gè)數(shù)比，0＜x≤0.5半導(dǎo)體薄膜材料及其利用電子束反應(yīng)蒸發(fā)設(shè)備、在襯底表面氣相外延生長(zhǎng)得到該薄膜的制備技術(shù)。背景技術(shù)稀磁半導(dǎo)體(Diluted Magnetic Semiconductor，DMS)材料是在非磁性半導(dǎo)體(如IV-VI族的PbSe，II-VI族的ZnSe、ZnTe、ZnO或III-V族的InAs、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。