技術(shù)編號(hào):6848649
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種適用于半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀器的應(yīng)用方法,尤其涉及。背景技術(shù) 目前在晶圓允收測(cè)試(Wafer acceptance test,WAT)過(guò)程中,通常存在許多相同類型的Device(器件)和相同的測(cè)試項(xiàng)目。例如需要分別測(cè)試長(zhǎng)溝道、標(biāo)準(zhǔn)和窄溝道晶體管的閾值電壓,溝道飽和電流,晶體管溝道的漏電和晶體管擊穿特性等。如果對(duì)上述器件采用逐個(gè)項(xiàng)目測(cè)試需要花費(fèi)一定的測(cè)試時(shí)間,所以如何尋找一種快速而不損失測(cè)試精度的方法在此時(shí)顯得尤為重要。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。