技術編號：6848114
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般地涉及半導體器件，更具體地講，涉及功率開關器件及其制造方法。背景技術 金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFETS)是功率開關器件的一種常用類型。一個MOSFET器件包括一個源區(qū)，一個漏區(qū)，一個在源和漏區(qū)之間延伸的溝道區(qū)，以及在溝道區(qū)鄰近提供的一個柵結構，該柵結構包括一個導電的柵電極層，它被安置在該溝道區(qū)鄰近但又被一層薄的電介質層和溝道區(qū)隔開。當一個MOSFET器件處于導通狀態(tài)時，一個電壓被加至柵結構以在源和漏區(qū)之間形成一個導電溝道區(qū)，從而允許...
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