技術(shù)編號：6847862
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料，特別是一種可以減小Mg記憶效應(yīng)的GaN基pn結(jié)的生長方法。背景技術(shù) III-氮化物是繼Si、GaAs等第一、第二代半導(dǎo)體材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料，其中GaN作為寬禁帶半導(dǎo)體材料有許多優(yōu)點，諸如飽和漂移速度高，擊穿電壓大，載流子輸運(yùn)性能優(yōu)異以及能夠形成AlGaN、InGaN三元合金和AlInGaN四元合金等，容易制作GaN基的pn結(jié)。鑒于此，近幾年來GaN基材料和器件得到了廣泛和深入的研究，MOCVD技術(shù)生長GaN基材料日趨成熟；...
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