技術編號：6847358
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種硫屬化物記憶體(chalcogenide memories)，特別是涉及一種薄膜相位變化記憶體(thin film phase-change memories)。背景技術 硫屬化物相位變化記憶體(chalcogenide phase-change memories)不易由互補式金氧半導體晶體管電路驅動。習知化合物的硫屬化物一般需要較高的電流(或確切地說是較大的電流密度(current densities))才能使相位改變。減少硫屬化物或電極的...
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