技術(shù)編號(hào)：6847286
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種芯片及其制作方法，特別是關(guān)于一種FinFET(Fin Field EffectTransistor鰭形場效應(yīng)管)電路與納機(jī)電梁集成的芯片及其制作方法。本發(fā)明方法使得深亞微米高速集成電路與納機(jī)電系統(tǒng)(Nano-Electromechanical Systems，以下簡稱NEMS)器件有機(jī)地結(jié)合起來，可以較好地解決NEMS器件的信號(hào)引出與處理問題，并大大提高系統(tǒng)的集成度和生產(chǎn)效率。背景技術(shù) 進(jìn)入深亞微米尺度后，一種性能優(yōu)良的新型MOS晶體管結(jié)構(gòu)F...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。