技術(shù)編號(hào):6847146
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,特別是涉及一種具有更高運(yùn)行速度的。背景技術(shù) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量由集成度決定,也就是單位面積上的存儲(chǔ)器單元數(shù)量。傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括構(gòu)成存儲(chǔ)器電路的多個(gè)單元。例如,一個(gè)傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)單元由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成。作為運(yùn)行速度快,功耗低的大規(guī)模集成電路(LSI)的研究結(jié)果,為下一代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器發(fā)展了使用絕緣體上硅(SOI)基板的技術(shù)。SOI基板可以用相對(duì)簡(jiǎn)單的方法來(lái)制備。考慮到單個(gè)元素間相互隔離,S...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。