技術(shù)編號(hào)：6847145
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體的，涉及半導(dǎo)體器件中的接觸結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)器件與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件相比具有更低的功耗和更快的工作速度的優(yōu)點(diǎn)。因此，SRAM廣泛的用作計(jì)算機(jī)和/或其它便攜設(shè)備中的高速緩沖存儲(chǔ)器。SRAM器件的單元可以分為電阻負(fù)載SRAM單元或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)SRAM單元。電阻負(fù)載SRAM單元采用高阻值的電阻作為負(fù)載器件，而CMOS SRAM單元采用p溝道金屬氧化物半...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。