技術(shù)編號：6847144
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體涉及用于半導(dǎo)體集成電路的接觸結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知，與動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)集成電路相比靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)集成電路可以表現(xiàn)出較低的功耗和較高操作速度。因此，在計(jì)算機(jī)和便攜式消費(fèi)者電子設(shè)備中SRAM電路廣泛地用于執(zhí)行高速緩存存儲。SRAM集成電路的單位晶格可以實(shí)現(xiàn)，例如作為高負(fù)載電阻器SRAM單元或作為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)SRAM單元。一般，高負(fù)載電阻器SRAM單元使用高阻抗...
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