技術(shù)編號(hào)：6846855
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件，尤其涉及具有如下溝道的鰭片場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)器件，所述溝道包括在支撐襯底上形成并在同樣形成于支撐襯底上的水平設(shè)置的源區(qū)和漏區(qū)之間延伸的鰭片(fin)。背景技術(shù) 過去的趨勢(shì)是，通過不斷地縮小FET器件的尺寸來提高器件速度，而持續(xù)改善這些器件的性能。然而，常規(guī)FET器件具有單個(gè)柵極，最近，已經(jīng)研制出雙柵極結(jié)構(gòu)，其在FET的體或溝道的兩側(cè)上都形成柵極。雙柵極結(jié)構(gòu)在器...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。