技術(shù)編號(hào):6846834
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體元件的制造。特別的是,在一觀點(diǎn)中,其是有關(guān)于形成于絕緣層上覆半導(dǎo)體(SOI)基材結(jié)構(gòu)上的多柵與平面型晶體管。背景技術(shù) 目前趨勢(shì)為減小典型絕緣層上覆半導(dǎo)體(SOI)基材中的半導(dǎo)體層的厚度,以用于技術(shù)更新轉(zhuǎn)變的平面型晶體管(例如,130nm至90nm至65nm技術(shù)更新)?,F(xiàn)在,使用SOI結(jié)構(gòu)制造的平面型晶體管的主動(dòng)區(qū)的典型厚度是大約400埃,且期待能在未來(lái)技術(shù)更新中變得更小。如圖1所示,多柵晶體管20(例如FinFET)一般具有一垂直型半導(dǎo)...
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