技術編號：6846762
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明關于，尤其關于具有ONO(Oxide/Nitride/Oxide，即氧化物/氮化物/氧化物)膜的非揮發(fā)性半導體記憶體及其制造方法。背景技術 近年來，可數據重寫的半導體裝置的非揮發(fā)性記憶體受到廣泛利用。在這種非揮發(fā)性記憶體的中，正進行開發(fā)技術以提高每單位面積的位元(bit)量并減低每單位位元的成本。作為非揮發(fā)性記憶體，一般使用NOR(反或)型或NAND(反及)型的陣列形式的浮柵極(floating gate)式快閃記憶體(flash memory)。其...
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