技術編號：6845935
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體裝置，特別是涉及一種具有將導體埋入形成在絕緣膜上的孔狀圖形或槽狀圖形中的結構的。背景技術 隨著半導體裝置的大規(guī)模高集成化，配線的設計標準也隨著時代而不斷被細化。在現有技術中，配線層是在堆積配線材料之后，通過利用平版印刷術(lithography)及干腐蝕法(dry etching)制作布線圖形而形成，但隨著時代的進步，在技術上開始出現限制。因此，作為代替現有技術的配線層的形成工藝的新的形成工藝，常常利用被稱作所謂鑲嵌工藝的方法，即在層間...
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