技術編號：6844072
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，尤其是涉及亞100nm位線結構及相關的制造方法，如可在非易失性SNOR存儲電路中被用于分別選擇性地驅動源極線和漏極線那樣。在實現存儲電路時，原則上根據存儲器結構進行區(qū)分，其中最普通地有所謂的NAND(與非)和NOR(或非)結構。在這兩種結構中，諸如所謂的單晶體管存儲單元等半導體元件以矩陣型方式排列并且經由所謂的字線和位線來驅動。在NAND結構內大量半導體元件或存儲元件彼此串聯并經由公共選擇門電路或選擇晶體管來驅動，而NOR結構內的各個半導體...
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