技術(shù)編號(hào)：6844071
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，以及更具體的涉及一種亞100nm位線結(jié)構(gòu)及相關(guān)的制造方法，其可用于源極線和漏極線的相應(yīng)選擇驅(qū)動(dòng)的非易失性SNOR存儲(chǔ)電路中。在獲得存儲(chǔ)電路的過程中，基本上是在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)方面產(chǎn)生差別，所謂的NAND和NOR結(jié)構(gòu)是最普遍的代表。在兩種結(jié)構(gòu)中，例如所謂的單晶體管存儲(chǔ)單元以矩陣型方式排列并通過所謂的字線和位線被驅(qū)動(dòng)。雖然在NAND結(jié)構(gòu)中多個(gè)開關(guān)元件或存儲(chǔ)元件互相串聯(lián)并通過共用選擇柵或選擇晶體管被驅(qū)動(dòng)，但是NOR結(jié)構(gòu)中的各個(gè)開關(guān)元件是以平行或矩陣型方...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。