技術(shù)編號：6843929
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。具體地，涉及形成具有低泄漏和可接受的閾電壓的小型晶體管的工藝。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，晶體管必須同時具有高性能和低功耗特性。這兩個參數(shù)一般是相互矛盾的。例如，晶體管溝道長度的降低可提升器件的速度，其它參數(shù)比如閾下泄漏(亞閾值泄漏，subthresholdleakage)以及閾電壓可能變得更加難以控制。傳統(tǒng)上，摻雜晶體管溝道被用來將閾電壓控制在所需范圍內(nèi)。常常使用離子注入來實現(xiàn)這些摻雜溝道。最近，已經(jīng)用絕緣體上硅(SOI)...
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