技術(shù)編號：6843894
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及功率器件的制備方法，尤其是涉及碳化硅功率器件的制備方法。背景技術(shù)功率器件被廣泛地使用來運載大電流和支持高電壓?，F(xiàn)代的功率器件一般由單晶硅半導(dǎo)體材料制備。一種廣泛使用的功率器件是功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。在功率MOSFET中，控制信號提供給通過中間絕緣體與半導(dǎo)體表面分開的柵電極，該中間絕緣體可以是，但不限于二氧化硅。經(jīng)由多數(shù)載流子的輸送發(fā)生電流導(dǎo)通，而不存在在雙極晶體管工作中所使用的少數(shù)載流子注入。功率MOSFET可以提供優(yōu)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。