技術編號：6843414
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及SOI(Silicon On Insulator)晶片，尤其涉及電性可靠性極高的SOI晶片及這種SOI晶片的制造方法。背景技術 以往，就裝置用基板而言，廣泛采用在支承基板上形成硅活性層(SOI層)的SOI晶片。這種SOI晶片的制造方法，已知有例如SIMOX(Separationby Ion-Implanted Oxygen)法或接合法，而上述SIMOX是將氧注入一片硅晶片內，而形成以氧化膜分隔的硅活性層，而上述接合法則是令兩片晶片彼此通過氧化膜接...
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