技術(shù)編號(hào)：6843280
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其具有襯底和包括雙極型異質(zhì)結(jié)晶體管的由硅制成的半導(dǎo)體主體，雙極異質(zhì)結(jié)晶體管具有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)、與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基區(qū)和第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)，其分別具有第一、第二和第三連接導(dǎo)電體，其中基區(qū)包括其帶隙小于集電區(qū)或發(fā)射區(qū)材料的帶隙的半導(dǎo)體材料。本發(fā)明還涉及一種制造這種器件的方法。背景技術(shù) 這種器件和這種方法可從1993年3月30日公開(kāi)的美國(guó)專利US5,198,689的說(shuō)明書(shū)中得知。所述文獻(xiàn)描述了一種具有雙極晶體管的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。