專利名稱：半導(dǎo)體器件及制造這種器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，其具有襯底和包括雙極型異質(zhì)結(jié)晶體管的由硅制成的半導(dǎo)體主體，雙極異質(zhì)結(jié)晶體管具有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)、與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基區(qū)和第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)，其分別具有第一、第二和第三連接導(dǎo)電體，其中基區(qū)包括其帶隙小于集電區(qū)或發(fā)射區(qū)材料的帶隙的半導(dǎo)體材料。
本發(fā)明還涉及一種制造這種器件的方法。
背景技術(shù)：
這種器件和這種方法可從1993年3月30日公開的美國專利US5,198,689的說明書中得知。所述文獻描述了一種具有雙極晶體管的半導(dǎo)體器件，該雙極晶體管具有在基區(qū)和集電區(qū)之間的結(jié)附近以及在基區(qū)和發(fā)射區(qū)之間的結(jié)附近的異質(zhì)結(jié)，該異質(zhì)結(jié)通過由硅和鍺的混合晶體形成基區(qū)來獲得。這種晶體管具有非常好的高頻特性，如特別由高截止頻率fT所證實的。
公知晶體管的缺點在于其具有從發(fā)射極到集電極的比較低的擊穿電壓，該所謂的BVceo是不希望的，其中該缺點在當(dāng)基區(qū)具有相對高的鍺濃度時尤其明顯。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種具有雙極型晶體管的半導(dǎo)體器件，該雙極型晶體管沒有所述的問題，且盡管在基區(qū)中存在鍺，但其仍具有可接受的發(fā)射極-集電極擊穿電壓。
為實現(xiàn)該目的，根據(jù)本發(fā)明，在起始段中提到的半導(dǎo)體器件類型的特征在于，通過嵌入到發(fā)射區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的另一半導(dǎo)體區(qū)域來局部降低發(fā)射區(qū)的摻雜劑量。
在這種情況下，采用“摻雜劑量”來表示每單位區(qū)域摻雜原子的全部數(shù)量，也就是摻雜濃度對發(fā)射區(qū)厚度的積分。在恒定摻雜濃度處，摻雜劑量等于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度(N)和厚度(d)的乘積(N×d)。本發(fā)明基于對由比較低的晶體管基極電流導(dǎo)致的公知器件中BVceo降低的認可，其需要這種晶體管的較高的電流增益?？傊?，這種晶體管的集電極電流比較高，其需要具有高fT的非?？斓木w管。本發(fā)明還基于對根據(jù)本發(fā)明的器件中已降低了的增益的認可?？傊?，如果是當(dāng)前技術(shù)發(fā)展水平的具有單晶體發(fā)射極的雙極型晶體管，那么對于npn晶體管來講，基極電流主要由發(fā)射極的硅-導(dǎo)體界面處的空穴復(fù)合確定。當(dāng)在這種硅-金屬界面的該復(fù)合速度很高時，基極電流實際上首先由Gummel數(shù)量確定，該數(shù)量與發(fā)射極的摻雜濃度和厚度成比例，或如果摻雜濃度不是常數(shù)，則與發(fā)射區(qū)的摻雜劑量成比例，其中空穴必須橫跨穿過該發(fā)射區(qū)。為了增加空穴電流，因此需要選擇發(fā)射區(qū)的厚度或摻雜濃度比較小或兩者都比較小。由于當(dāng)發(fā)射極薄時的所謂的尖峰冒險，所以第一選擇是沒有吸引力的，由于低阻抗接觸需要在連接導(dǎo)體附近的摻雜濃度高，所以第二選擇也沒有吸引力。通過提供第二導(dǎo)電類型的另一半導(dǎo)體區(qū)域，即，在npn晶體管的情況下也就是p型的，其以這種方式嵌入到發(fā)射區(qū)中，實現(xiàn)了摻雜劑量的降低，而沒有上述的關(guān)于發(fā)射極的小厚度或所述區(qū)域的低摻雜濃度的缺點。最后，根據(jù)本發(fā)明的器件的重要優(yōu)點在于其高頻性能也證明是優(yōu)良的。
在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選實施例中，另一半導(dǎo)體區(qū)域在毗鄰于第一連接導(dǎo)體的發(fā)射區(qū)的一側(cè)上凹陷到發(fā)射區(qū)中。因此獲得優(yōu)良的結(jié)果，且此外，例如，通過離子注入以形成該另一半導(dǎo)體區(qū)域，可以相對簡單地制造這種變形的器件。
優(yōu)選地，發(fā)射區(qū)包括具有毗鄰于第一連接導(dǎo)體的高摻雜濃度的第一部分，和具有毗鄰于基區(qū)的較低摻雜濃度并在另一半導(dǎo)體區(qū)域下方延伸的第二部分。結(jié)果，一方面，確保了發(fā)射區(qū)的低阻抗接觸，且另一方面，當(dāng)發(fā)射區(qū)的輕摻雜部分也有助于在另一半導(dǎo)體區(qū)域的位置處的Gummel數(shù)量的降低時，進一步降低了基極電流。
如果該另一半導(dǎo)體區(qū)域包括多個由多個發(fā)射區(qū)部分互相分開的子區(qū)域，則會獲得良好的結(jié)果。因此晶體管的該性能以盡可能相同的方式確定。另一半導(dǎo)體區(qū)域的子區(qū)域的尺寸優(yōu)選在0.1μm和2μm之間的范圍內(nèi)，且位于其間的發(fā)射區(qū)的部分優(yōu)選具有在0.1μm到20μm范圍內(nèi)的尺寸。
優(yōu)選地，另一半導(dǎo)體區(qū)域的子區(qū)域在發(fā)射區(qū)的縱向方向上并列。這也使得根據(jù)本發(fā)明的器件制造相對簡單。發(fā)射區(qū)優(yōu)選位于半導(dǎo)體主體的表面處，以使得對于該另一半導(dǎo)體區(qū)域的形成可以利用精確的、可再生產(chǎn)的且簡單的技術(shù)，如離子注入制成。如果第一導(dǎo)電類型是n型，則可獲得最好的結(jié)果。例如，可以通過硼離子來進行該另一半導(dǎo)體區(qū)域的注入。
在根據(jù)本發(fā)明的器件的適合實施例中，基區(qū)的鍺接觸在10和30at.％之間的范圍內(nèi)，且優(yōu)選接近20at.％。
一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件具有襯底和包括雙極型晶體管的由硅制成的半導(dǎo)體主體，雙極型晶體管具有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)、與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基區(qū)和第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)，發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)分別具有第一、第二和第三連接導(dǎo)體，其中基區(qū)具有帶隙比集電區(qū)或發(fā)射區(qū)的材料的帶隙小的半導(dǎo)體材料，根據(jù)本發(fā)明，該方法的特征在于，通過嵌入在發(fā)射區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的另一半導(dǎo)體區(qū)域來局部降低發(fā)射區(qū)的摻雜劑量。
優(yōu)選地，形成另一半導(dǎo)體區(qū)域以從半導(dǎo)體主體表面凹陷到發(fā)射區(qū)中。在有利的變形中，形成發(fā)射區(qū)以包括具有毗鄰于第一連接導(dǎo)體的高摻雜濃度的第一部分，和具有毗鄰于基區(qū)的較低摻雜濃度的第二部分，該第二部分形成于另一半導(dǎo)體區(qū)域的下方。


從以下描述的實施例本發(fā)明的這些和其它方面將顯而易見，并將參考以下描述的實施例說明本發(fā)明的這些和其它方面。
在圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件實施例的示意性透視圖，圖2是以垂直于圖1中示出的器件的厚度方向并在線II-II上截取的示意性截面圖，圖3示出了作為位于另一半導(dǎo)體區(qū)域下方的在圖1中示出的器件的發(fā)射區(qū)部分的厚度(d)的函數(shù)的額定基極電流(IB)和最大截止頻率fT，和圖4示出了作為位于另一半導(dǎo)體區(qū)域下方的，在圖1中示出的器件的發(fā)射區(qū)部分的摻雜濃度(n)的函數(shù)的額定基極電流(IB)和最大截止頻率fT，和圖5至11是在垂直于厚度方向或以如在圖11中的透視圖中，通過根據(jù)本發(fā)明的方法制造圖1的器件的連續(xù)步驟的示意性截面圖。
具體實施例方式
這些圖并非按比例繪制且為了清楚起見放大了某些尺寸。只要可能，相應(yīng)的區(qū)域或部分通過相同的參考數(shù)字表示。
圖1是根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體器件實施例的垂直于厚度方向的示意性截面圖。圖2是垂直于圖1所示的器件的厚度方向并沿著線II-II上截取的示意性截面圖。該例子的器件10包括(見圖1)具有p型硅襯底12的半導(dǎo)體主體11和提供于其上并具有雙極型晶體管的半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)。在該例子中分立的晶體管具有n型發(fā)射區(qū)1、p型基區(qū)2和n型集電區(qū)3，其分別具有第一、第二和第三連接導(dǎo)體4、5、6。在圖2中示出了發(fā)射區(qū)1的連接導(dǎo)體4，但是為了清楚起見，在圖1中省略掉了。基區(qū)2包括具有20at.％鍺含量的硅和鍺的混合晶體。集電極3和發(fā)射極1含有硅。在這種情況下，集電極3包括輕摻雜部分3A、所謂的遷移區(qū)和毗鄰于襯底12的重摻雜部分3B。在這種情況下，發(fā)射區(qū)1、基區(qū)2和集電區(qū)3各自的連接導(dǎo)體4、5、6含有鋁。在這種情況下，發(fā)射極1包括具有高摻雜濃度并毗鄰于連接導(dǎo)體4的第一部分(1B)，和具有較低摻雜濃度并毗鄰于基極2的第二部分(1A)。連接導(dǎo)體6通過凹陷到半導(dǎo)體主體11中的重摻雜集電極連接區(qū)域3C連接到集電區(qū)3上。在這種情況下，器件10還包括含有二氧化硅的不同隔離區(qū)域7、8、9。
根據(jù)本發(fā)明，通過嵌入在發(fā)射區(qū)1中的第二導(dǎo)電類型的另一半導(dǎo)體區(qū)域20來局部降低發(fā)射區(qū)1的摻雜劑量，在這種情況下，第二導(dǎo)電類型是p型。該p型區(qū)域20在區(qū)域20的位置處凹陷到發(fā)射區(qū)1的最重摻雜的部分1B中并直達到發(fā)射區(qū)1的較低摻雜部分1A。結(jié)果，發(fā)射區(qū)1局部地包括具有位于凹陷的另一區(qū)域20下方的減小的厚度的部分1A。結(jié)果，常數(shù)摻雜濃度的摻雜劑量是厚度和摻雜濃度的乘積，摻雜劑量在發(fā)射區(qū)1中局部降低。這導(dǎo)致了在器件工作期間較高的基極電流，其結(jié)果是降低了晶體管的增益。由于在基區(qū)2中存在硅和鍺的混合晶體，所以這是重要的優(yōu)點，反之，將導(dǎo)致相對低的基極電流且因此導(dǎo)致晶體管增益的增加，其將反過來導(dǎo)致相對低的BVceo，其是不希望的。由根據(jù)本發(fā)明的方法導(dǎo)致的基極電流的增加將全部或部分地補償所述的降低，其結(jié)果是在根據(jù)本發(fā)明的器件10中不會發(fā)生不希望的BVceo的降低。在這種情況下，通過局部離子注入形成P型另一區(qū)域20。
該例子的器件10的橫向尺寸是4μm×10μm。發(fā)射區(qū)1的部分1A具有2×1018at/cm3的摻雜濃度和接近100nm的厚度，部分1B具有接近1020at/cm3的摻雜濃度和接近0.2μm的厚度?；鶇^(qū)具有接近1019at/cm3的摻雜濃度和30nm的厚度。集電區(qū)3的部分3A、3B具有例如分別為5×1017at/cm3和1020at/cm3的摻雜濃度，和分別為50nm和500nm的厚度。在這種情況下，發(fā)射區(qū)1的寬度是500nm，而其長度是5μm。P型區(qū)域20的尺寸是500nm×200nm，且其間的間隔是200nm。在這種情況下，另一區(qū)域20的厚度接近0.2μm，以使發(fā)射區(qū)1的下面部分1A在所述的位置處具有100nm的厚度，為發(fā)射區(qū)1的初始厚度(0.2μm+0.1μm)和另一區(qū)域20的厚度(0.2μm)之間的差值。以下將通過圖3和4說明發(fā)射區(qū)1的摻雜劑量的局部降低的效應(yīng)，也就是對基極電流IB的影響。
圖3示出了作為位于另一半導(dǎo)體區(qū)域下方的圖1的器件的發(fā)射區(qū)部分厚度(d)的函數(shù)的額定基極電流(IB)和最大截止頻率fT。圖4示出了作為位于另一半導(dǎo)體區(qū)域下方的圖1的器件的發(fā)射區(qū)部分摻雜濃度(n)的函數(shù)的額定基極電流(IB)和最大截止頻率fT。圖3的曲線31和圖4的曲線41示出了通過分別局部降低利用另一區(qū)域20的發(fā)射區(qū)1的厚度d和發(fā)射區(qū)1的摻雜濃度n，基極電流IB能夠分別輕易地降低了3倍和1.5倍。通過由局部降低厚度d和摻雜濃度n來降低摻雜劑量，因此可容易地獲得基極電流增長4.5倍(＝3×1.5)，其結(jié)果增益降低了相等的4.5倍。例如，可以通過在兩部分之外建立發(fā)射區(qū)1來實現(xiàn)摻雜濃度的局部降低，其中兩部分也就是毗鄰于基區(qū)2的具有相對低摻雜濃度的第一部分，和毗鄰于連接導(dǎo)體4的具有相對高摻雜濃度的第二部分。
在圖3和圖4中的曲線32和42分別示出了其對根據(jù)本發(fā)明的器件10的速度幾乎沒有不利的影響。所述的曲線32、42示出了作為上述的厚度d和摻雜濃度n的函數(shù)的最大截止頻率fT的變化。這意味著如果摻雜劑量在根據(jù)本發(fā)明的器件10的發(fā)射區(qū)1中局部降低，那么在140和150GHz范圍內(nèi)的所述頻率幾乎沒有改變。例如，在以下的方式中利用根據(jù)本發(fā)明的方法制造該例子的器件10。
圖5至11是以垂直于厚度方向或以如圖11中的透視圖，利用根據(jù)本發(fā)明的方法制造圖1的器件的連續(xù)步驟中的示意性截面圖。原材料(見圖5)的應(yīng)用是由p型硅襯底11制成，其中，通過局部離子注入(未示出所使用的掩模)，由將由具有半導(dǎo)體主體11的器件10形成的晶體管的集電區(qū)3形成重摻雜部分3B。
隨后(見圖6)，通過外延生長提供n型層3以形成將形成的集電區(qū)3的漂移區(qū)3A。通過離子注入，在其中局部形成集電區(qū)3的連接區(qū)域3C(未示出使用的掩模)。
隨后(見圖7)，通過蝕刻和(局部)氧化由硅制成的半導(dǎo)體主體11，在半導(dǎo)體主體11中形成由二氧化硅制成的隔離區(qū)域7、8。在附圖中未示出在所述工藝中使用的掩模。首先通過局部氧化用二氧化硅區(qū)域7覆蓋表面。然后，蝕刻溝槽，通過使用TEOS(＝正硅酸乙酯)填充溝槽，將其變成為隔離區(qū)域8，所謂的STI(＝淺溝槽隔離)區(qū)域8。通過CMP(＝化學(xué)機械拋光)再次除去在該工藝中淀積的、位于溝槽外部(和上方)的氧化層部分。
隨后(見圖8)，通過外延生長來涂敷添加了20at.％鍺的p型硅層2，該層將形成基區(qū)2，且在其上提供n型硅層1A，其將形成發(fā)射區(qū)1的較低摻雜部分。位于隔離區(qū)域7、8上方的這些層2、1A的多個部分是多晶體，位于其間的部分是單晶體。
然后(見圖9)，通過光刻和蝕刻除去位于有源區(qū)域3A外部的層2、1A的一部分。例如由二氧化硅制成的用于該目的的掩模在附圖中未示出，且隨后再次除去該掩模。然后，用由二氧化硅制成的隔離層9覆蓋半導(dǎo)體主體11的全部表面，其中通過CVD(＝化學(xué)氣相淀積)提供二氧化硅。
隨后(見圖10)，在隔離層9中通過光刻和蝕刻形成開口。接下來，通過CVD將n型硅層1B涂敷到半導(dǎo)體主體11的表面，并通過光刻和蝕刻對其構(gòu)圖。獲得的單晶的n型區(qū)域1B形成發(fā)射區(qū)1的較重摻雜的部分1B。
接下來(見圖11)，用例如光刻膠的掩模層覆蓋半導(dǎo)體主體11的全部表面，其掩模層并未示出。在將在硅區(qū)域1B中形成的區(qū)域20的位置處，將開口形成于其中，之后，通過硼離子注入形成p型區(qū)域20。因此在發(fā)射區(qū)1的較重摻雜的部分1B中形成多個p型區(qū)域20，如圖2中所示。在這些區(qū)域20的位置，發(fā)射區(qū)1因此具有較小厚度，和附加的相對低的摻雜濃度。在這種情況下，也使用所述的硼離子注入以形成用于基區(qū)2的連接區(qū)域22。為了該目的，在隔離層9中且另外在上面提到的掩膜(在附圖中并未示出)中形成合適的開口。
然后(見圖1和2)，在隔離層9中集電極連接區(qū)域3C的位置處形成接觸開口，之后淀積鋁層，通過光刻和蝕刻從鋁層分別形成發(fā)射區(qū)1、基區(qū)2和集電區(qū)3的連接導(dǎo)體4、5、6。在分離工藝如鋸切之后，隨之獲得的已為最后的裝配準(zhǔn)備好的各個器件10。
本發(fā)明并不限于這里給出的例子，且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)作出很多變化和變形。例如，除了分立的半導(dǎo)體器件之外，本發(fā)明還非常適合于在集成的半導(dǎo)體器件如BICMOS(＝雙極型互補金屬氧化物半導(dǎo)體)IC(＝集成電路)中使用。
還用注意的是，代替STI隔離區(qū)域，可以應(yīng)用通過LOCOS(＝硅局部氧化)技術(shù)獲得隔離區(qū)域?？梢孕纬筛鶕?jù)本發(fā)明的器件的結(jié)構(gòu)以包括一個或多個臺形部分，但是也使其(基本上)整體平坦。通過由增加基區(qū)相對于集電區(qū)(或發(fā)射區(qū))的帶隙代替通過降低所述一個區(qū)域(多個區(qū)域)的帶隙來實現(xiàn)在發(fā)射極、基極和集電極中的帶隙的希望變化，來獲得另一變形。此時，集電區(qū)(和發(fā)射區(qū))含有例如碳化硅，同時基區(qū)含有硅。
關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的方法，其還應(yīng)用很多可能的變化和變形。例如，還可通過從所謂的PSG(＝磷硅玻璃)層或從形成發(fā)射區(qū)的連接導(dǎo)體部分的多晶層的向外擴散形成發(fā)射區(qū)的重摻雜部分。可選擇地通過BSG(＝硼硅玻璃)層或通過VPD(＝氣相摻雜)形成基區(qū)。對于基區(qū)的連接，也可使用摻雜的多晶Si。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件(10)，具有襯底(12)和包括雙極型異質(zhì)結(jié)晶體管的由硅制成的半導(dǎo)體主體(11)，雙極型異質(zhì)結(jié)晶體管具有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)(1)、與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基區(qū)(2)和第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)(3)，其分別具有第一、第二和第三連接導(dǎo)體(4，5，6)，其中基區(qū)(2)包括帶隙小于集電區(qū)(3)或發(fā)射區(qū)(1)的材料的帶隙的半導(dǎo)體材料，其特征在于，通過嵌入到發(fā)射區(qū)(1)中的第二導(dǎo)電類型的另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)來局部降低發(fā)射區(qū)(1)的摻雜劑量。
2.如在權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)在毗鄰于第一連接導(dǎo)體(4)的發(fā)射區(qū)(1)的一側(cè)上凹陷到發(fā)射區(qū)(1)中。
3.如權(quán)利要求1或2中的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，發(fā)射區(qū)(1)包括具有毗鄰于第一連接導(dǎo)體(4)的高摻雜濃度的第一部分(1B)，和具有毗鄰于基區(qū)(2)的較低摻雜濃度并在另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)下方延伸的第二部分(1A)。
4.如權(quán)利要求1、2或3中的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)包括通過發(fā)射區(qū)(1)的部分而相互隔離的多個子區(qū)域(20)。
5.如權(quán)利要求4中的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)的子區(qū)域(20)的尺寸在0.1μm至2μm的范圍內(nèi)，且位于其間的發(fā)射區(qū)(1)的部分具有在0.1μm至10μm范圍內(nèi)的尺寸。
6.如權(quán)利要求4或5中的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)的子區(qū)域(20)在發(fā)射區(qū)(1)的縱向上并列。
7.如前述權(quán)利要求的任一項中0的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，發(fā)射區(qū)(1)位于半導(dǎo)體主體(11)的表面處。
8.如前述權(quán)利要求的任一項中的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，基區(qū)(2)的鍺含量在10和30at.％之間的范圍內(nèi)，且優(yōu)選約為20at.％。
9.如前述權(quán)利要求的任一項中的半導(dǎo)體器件(10)，特征在于，第一導(dǎo)電類型是n導(dǎo)電類型。
10.一種制造半導(dǎo)體器件(10)的方法，該半導(dǎo)體器件具有襯底(12)和包括雙極型晶體管的由硅制成的半導(dǎo)體主體(11)，雙極型晶體管具有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)(1)、與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的基區(qū)(2)和第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)(3)，其分別具有第一、第二和第三連接導(dǎo)體(4，5，6)，其中基區(qū)(2)具有帶隙小于集電區(qū)(3)或發(fā)射區(qū)(1)的材料的帶隙的半導(dǎo)體材料，特征在于，通過嵌入到發(fā)射區(qū)(1)中的第二導(dǎo)電類型的另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)來局部降低發(fā)射區(qū)(1)的摻雜劑量。
11.如權(quán)利要求10中的方法，特征在于，形成另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)，以從半導(dǎo)體主體(11)的表面凹陷到發(fā)射區(qū)(1)中。
12.如權(quán)利要求10或11中的方法，特征在于，形成發(fā)射區(qū)(1)，以包括具有毗鄰于第一連接導(dǎo)體(4)的高摻雜濃度的第一部分(1B)，和具有毗鄰于基區(qū)(2)的較低摻雜濃度第二部分(1A)，第二部分(1A)形成于另一半導(dǎo)體區(qū)域(20)的下方。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有襯底(11)和具有異質(zhì)結(jié)雙極型尤其是npn型晶體管的半導(dǎo)體主體(12)的半導(dǎo)體器件，異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管具有發(fā)射區(qū)(1)、基區(qū)(2)和集電區(qū)(3)，其分別具有第一、第二和第三連接導(dǎo)體(4，5，6)，且其中基區(qū)(2)的帶隙小于集電區(qū)(3)或發(fā)射區(qū)(1)的帶隙，在基區(qū)(2)中例如通過使用硅－鍺混合晶體代替純硅。這種器件特征在于很高的速度，但是該晶體管表現(xiàn)出相對低的BV
文檔編號H01L29/737GK1751394SQ200480004395
公開日2006年3月22日 申請日期2004年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月18日
發(fā)明者R·范達倫, P·阿加瓦, J·W·斯洛特布姆, G·E·J·庫普斯 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司