技術(shù)編號(hào)：6839317
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明通常是指半導(dǎo)體器件的制造。特別是本發(fā)明涉及在填充電介質(zhì)區(qū)的蝕刻期間保存淺溝槽絕緣區(qū)完整的一種工藝。發(fā)明的背景電子工業(yè)持續(xù)依賴半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展以至在更加緊湊的區(qū)域中獲得更強(qiáng)功能的器件。對(duì)于許多應(yīng)用，為了實(shí)現(xiàn)強(qiáng)功能的器件，需要將大量的電子器件集成到單一硅晶片里。由于硅晶片的每一給定區(qū)域的電子器件數(shù)目的增加，因此制造工藝變得更加困難。已經(jīng)制造出的大量的半導(dǎo)體器件在眾多的行業(yè)中具有不同的用途。這種以硅為基底的半導(dǎo)體器件常常包括金屬氧化物半導(dǎo)體(MO...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。