技術(shù)編號：6835697
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 要提高集成電路的性能，就有必要提高其構(gòu)成要素，即MISFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、CMISFET(互補(bǔ)金屬絕緣物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等元件的性能。提高元件的性能基本上是通過比例收縮原理(scaling law)進(jìn)行，但是近年由于物理特性的界限，產(chǎn)生了各種問題。其一是關(guān)于MISFET的閾值電壓調(diào)整的問題。在現(xiàn)狀下，閾值電壓通過溝道區(qū)的雜質(zhì)濃度來進(jìn)行調(diào)整?？墒牵绻褂迷摲椒?，則MISFET的ON/...
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