技術編號：6835470
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是關于半導體裝置，特別是關于一種互補式場效晶體管(complementary field-effect transistors)及其制造方法。背景技術 金屬氧化物半導體場效晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistors；MOSFET)的尺寸縮減，包含柵極長度與柵氧化物的尺寸縮減，促使在過去數十年間集成電路每單位元件的速度、效能、密度及成本的改善。為了更加強化晶體管的效能，可使其溝道區(qū)發(fā)生應變...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。