技術(shù)編號(hào)：6835198
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和制造，以及尤其涉及形成在絕緣層上的硅(SOI)晶片上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，以及在SOI晶片上制造FETs和電路的方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體技術(shù)和芯片制造的進(jìn)展已經(jīng)導(dǎo)致了單片時(shí)鐘頻率，單個(gè)芯片上晶體管數(shù)目，和管芯尺寸本身的增加，加上相應(yīng)的芯片電源電壓和芯片特征尺寸的降低?？傮w上，所有其它因素固定時(shí)，一個(gè)給定時(shí)鐘的單元消耗的功率隨著內(nèi)部開關(guān)頻率線性增加。這樣，盡管降低了芯片電源電壓，芯片功耗還是增加。在芯片和系統(tǒng)水平上，作為這種芯片功率增...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。