技術(shù)編號：6835175
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的領(lǐng)域是制造場效應(yīng)晶體管，它具有在水平放置的源和漏區(qū)之間垂直于半導(dǎo)體襯底延伸的體，稱為“FinFET”。背景技術(shù) 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)技術(shù)是當(dāng)今使用的主流電子器件技術(shù)。不同代的器件性能的增強(qiáng)通常是通過減小器件尺寸取得，導(dǎo)致了器件速度的提高。這總體上稱作器件“比例縮放”。超大規(guī)模集成(ULSI)電路一般包括許多晶體管，例如多于一百萬個晶體管甚至幾百萬個晶體管協(xié)作對一個電子組件執(zhí)行各種功能。晶體管一般為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。