技術(shù)編號:6834583
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體芯片的控制方法,具體涉及一種層疊半導(dǎo)體器件,其具有半導(dǎo)體芯片例如一個層疊在另一個上的存儲芯片,以及控制此半導(dǎo)體芯片的方法。背景技術(shù) 可以預(yù)見,如果將來半導(dǎo)體制造工藝遇到小型化的困難,那么與LSI芯片的功能的改善(例如,DRAM增加的存貯容量)相關(guān)的芯片尺寸的增加不能夠由基于工藝的小型化所避免。為解決此可能的問題,建議半導(dǎo)體器件(例如,DRAM)采用CoC(芯片上芯片Chip on Chip)結(jié)構(gòu),其可以包括為了LSI芯片的三...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。