技術(shù)編號(hào)：6833080
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及到MOS結(jié)構(gòu)(包括MIS結(jié)構(gòu))的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，更確切地說是涉及到具有改進(jìn)了的柵絕緣膜的。背景技術(shù) 圖1剖面圖示出了常規(guī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的器件結(jié)構(gòu)。圖1用舉例的方法示出了一種n溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在圖1中，參考號(hào)1表示p型硅襯底；2表示隔離區(qū)；3表示p阱區(qū)；4表示n溝道，更具體地說是摻有用來控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓的雜質(zhì)的區(qū)域；5表示SiO2等組成的柵絕緣膜；6表示由多晶硅膜等制成的柵電極；7表示源/漏區(qū)；8表示布線；而9表示層間絕緣膜。在具有上...
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