技術(shù)編號：6832607
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種與非(NAND)型閃速存儲裝置，及制造此種裝置的方法，及較具體地說，本發(fā)明涉及能改善字線或選擇線的構(gòu)圖性能以及集成度的與非型閃速存儲裝置，以及制造此種裝置的方法。背景技術(shù) 半導體存儲裝置包括一用于儲存數(shù)據(jù)的單元及用于供應一外部電壓至該單元以操作該單元的外圍晶體管。NAND型閃速存儲裝置是半導體存儲裝置的一種。與非型閃速存儲裝置的少數(shù)存儲單元晶體管經(jīng)由一串結(jié)構(gòu)耦合。需要一選擇晶體管以選擇該串。圖1為傳統(tǒng)與非型閃速存儲裝置的單元陣列的布局圖。參考...
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