技術(shù)編號:6831824
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及,例如在具有槽柵結(jié)構(gòu)的縱式MOSFET等中應(yīng)用的。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體襯底的主表面形成溝槽(Trench槽)、并利用該溝槽形成柵電極的槽柵結(jié)構(gòu),例如應(yīng)用于IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor絕緣柵雙極晶體管)和縱式MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等半導(dǎo)體器件中,主要用于電力等用途(例如參照專利文獻1日本特...
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