技術(shù)編號：6831163
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及電路器件和電路器件的制造和結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 提高襯底上的電路器件(例如，半導(dǎo)體(例如硅)襯底上的集成電路(IC)晶體管、電阻器、電容器等)的性能常常是在這些器件的設(shè)計、制造和操作過程中所要考慮的主要因素。例如，在例如那些在互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)中所使用的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管半導(dǎo)體器件的設(shè)計和制造或者形成過程中，人們常常希望提高電子在N型MOS器件(NMOS)溝道中的移動以及提高正電荷的空穴在P型MOS器件(PMOS)溝道...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。