技術編號：6830952
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及半導體器件，更具體地，涉及功率晶體管。背景技術 在橫向雙擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)功率晶體管中，漏極和源極半導體區(qū)通常是形成在同一管芯表面上并在LDMOS晶體管管芯上延伸的集成的區(qū)域，鍵合焊盤設置在管芯周圍。最終的金屬半導體區(qū)橫跨漏極和源極半導體區(qū)從而將半導體區(qū)與各自的鍵合焊盤相連。由于一些電流必須流過漏極或源極區(qū)的長度，以到達鍵合焊盤，因此這樣的功率晶體管具有不需要的高導通電阻(RdsON)。降低功率晶體管的電阻(RdsON)的一種...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。