技術(shù)編號:6830724
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體元件及其制造方法,更具體地涉及使用選擇性外延生長(SEG)工藝的具有抬高的源極/漏極結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管及其制造方法。背景技術(shù) 如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的,隨著近來電子裝置小型化、輕量化的趨勢,場效應(yīng)晶體管(FET)的尺寸逐漸減小。但是,由于FET尺寸的減小,相應(yīng)的有效溝道長度減小。反過來,這造成不希望有的影響,稱作“短溝道”效應(yīng),其惡化了FET的源極電極和漏極電極之間的穿通特性。為了避免這個(gè)問題,已經(jīng)開發(fā)了淺結(jié)源/漏...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。