技術(shù)編號：6829798
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置制造方法，具體而言，本發(fā)明涉及一種通過使用用于例如模擬IC、功率IC、RF IC等的設(shè)計的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝來制造雙極性晶體管的方法。背景技術(shù) 一般而言，從電流性能、速度及晶粒(grain)來看，雙極性結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)于金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOS TR)，因此廣泛用于模擬IC、功率IC、RF IC等的設(shè)計。然而，作為一種利用BJT的優(yōu)點的工藝和一種CMOS工藝，雙極性-CMOS-DMOS(BCD)工藝是一...
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