技術(shù)編號：6825443
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及非易失性存儲器單元，尤其涉及具有高集成度的直寫式非易失性隨機(jī)存取存儲器(NVRAM)單元及其制造方法。工業(yè)界眾所周知，在諸如非易失性隨機(jī)存取存儲器單元(NVRAM)陣列內(nèi)是非易失性浮柵存儲器單元。在NVRAM單元內(nèi)，單元的導(dǎo)電狀態(tài)由該單元的浮柵充電狀態(tài)決定。該浮柵是雙器件NAND結(jié)構(gòu)類中的場效應(yīng)晶體管(FET)的電絕緣柵。穿過一薄絕緣層將電荷注入到該浮柵上或從該浮柵上移去，而通常(讀操作過程)該絕緣層將該柵與相連導(dǎo)電層電隔離。一般說來，充成負(fù)...
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