技術(shù)編號：6825410
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，更詳細地說，涉及由新的ROM單元陣列結(jié)構(gòu)構(gòu)成的。迄今為止，作為掩模ROM(MROM)的NOR型存儲單元，如圖7和圖8中所示那樣，使用了結(jié)構(gòu)單純且制造容易的平單元(flat cell)結(jié)構(gòu)。通常將這樣的平單元結(jié)構(gòu)的MROM的單位存儲單元稱為單漏(single drain)型存儲單元，該存儲單元由MOS晶體管構(gòu)成，該MOS晶體管由利用包含高濃度雜質(zhì)的擴散層形成的相鄰的2條位線31和與其交叉的由多晶硅膜形成的字線32構(gòu)成。這樣的存儲單元用低閾值電壓(...
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