技術(shù)編號：6824814
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及可以以字節(jié)單位進(jìn)行變更存儲單元數(shù)據(jù)的動作的非易失性半導(dǎo)體存儲器。以往，作為可以以字節(jié)單位進(jìn)行存儲單元的數(shù)據(jù)變更的非易失性半導(dǎo)體存儲器已知有EEPROM。文獻(xiàn)1(W.Johnson et al.，“A 16Kb Electrically ErasableNonvolatile Memory，”ISSCC Digest of Technical Papers，pp.152-153，F(xiàn)eb.1982.)提出使用FLOTOX(Floating Gate ...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。