技術(shù)編號：6824811
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及到絕緣體上硅(SOI)傳輸門干擾的解決方法，更確切地說是涉及到N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SOI傳輸門干擾的解決方法，其中在MOSFET的柵和體之間連接有電阻器以消除干擾狀態(tài)。N型MOSFET被用作互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路中的傳輸門，以提高密度和改進性能。在SOI中，F(xiàn)ET的體即襯底是電浮置的。當源電極和漏電極在比發(fā)熱時間長的時間內(nèi)保持高位而柵保持低位時，這一浮置導(dǎo)致干擾問題，隨之引起輸入(通常是源)引起的從...
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