技術編號：6824739
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及產生構圖材料層的一種方法，這種材料層在半導體技術中得到應用，一般用光刻方法進行制作，其中通常首先在一種照射敏感的光刻膠上構圖，接著用一道腐蝕工序將構圖轉移到光刻下面的材料層上。其中要單獨進行下列工序-首先把一種照射敏感的光刻膠涂敷到待構圖的材料層上；-為了獲得需要的圖形，在用掩模的情況下對光刻膠進行照射；-為了產生光刻膠圖形，光刻膠進行顯影；-蝕去未被已顯影的光刻膠層覆蓋的打開部位上的待構圖的材料層；-溶去保留的膠層。但并不是要構圖的全部材料層都...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。