技術(shù)編號：6820583
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic random accessmemory，DRAM)的方法，特別是涉及一種制造DRAM中的電容器的叉型下電極的方法。降低DRAM的晶片的大小，使其集成度與存儲(chǔ)容量增加是目前的趨勢。DRAM的尺寸減小，DRAM中的電容器也會(huì)相應(yīng)地縮小。DRAM的存儲(chǔ)單元一般而言包括存儲(chǔ)電容器與存取晶體管。隨著高度集成度的DRAM的出現(xiàn)，元件的尺寸越變越小，連帶使得每一個(gè)單獨(dú)的存儲(chǔ)單元所能使用的面積變得很小。也使得存儲(chǔ)單元的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。