技術(shù)編號：6820370
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種DRAM存儲單元及其制造方法，特別是涉及一種具有電流增益的單一多晶硅層DRAM存儲單元及其制造方法。最常用的DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)是單一晶體管單一電容器。這種DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)通常需要沉積三層導(dǎo)電多晶硅層一層作為晶體管的柵極，一層作為電容器的下電極，第三層則作為電容器的上電極。這種較為復(fù)雜的現(xiàn)代DRAM存儲單元的制作過程將與只使用單一多晶硅層的標(biāo)準(zhǔn)邏輯區(qū)制作工藝在實際上無法配合。但是，為了要達到制作將存儲區(qū)與邏輯區(qū)做在同一片芯片上的“單一芯片...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。